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新規材料の開発に新たな指針

情報科学研究科の八方直久准教授は、熊本大学、高輝度光科学研究センター、名古屋工業大学、広島工業大学、富山大学、高エネルギー加速器研究機構、九州シンクロトロン光研究センター、台湾國家同歩輻射研究中心、山形大学の研究者らと共同で、「蛍光Ｘ線ホログラフィー」および「Ｘ線吸収微細構造分光」を用いた実験により、未来のコンピュータ材料の一つとして期待されているトポロジカル絶縁体に含まれる不純物の添加位置を決定することに成功しました。
この結果は、これまで回折実験や電子顕微鏡では観測できなかった、世界で初めての発見です。
この技術を応用することにより、添加元素によって性能を制御する半導体材料、磁性材料などの機能を解明できるとともに、新規材料開発に新たな指針を与えるものとして期待されます。
本研究において、八方准教授は、蛍光Ｘ線ホログラフィーの測定及びデータ解析（原子配列の分析）を支援しています。

研究内容や白色中性子線ホログラフィーについての詳細は、プレスリリース資料PDF[848.88KB]をご覧ください。

【書誌情報】

• 雑誌名：Physical Review B
• タイトル：Impurity position and lattice distortion in a Mn-doped Bi₂Te₃ topological insulator investigated by x-ray fluorescence holography and x-ray absorption fine structure
• 著者：S. Hosokawa, J. R. Stellhorn, T. Matsushita, N. Happo, K. Kimura, K. Hayashi, Y. Ebisu, T. Ozaki, H. Ikemoto, H. Setoyama, T. Okajima, Y. Yoda, H. Ishii, Y.-F. Liao, M. Kitaura, and M. Sasaki
• doi：https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.214207
• URL：https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.96.214207

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